配资开户网 长鑫大暴涨，比3.6万亿更重要的事

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　　作者：丘秋

　　来源：正和岛（ID：zhenghedao）

　　2026年7月27日，A股迎来了一家特殊的公司。它成立刚满十年，上市首日便站上了全球半导体竞争的最前线。

　　它就是长鑫科技。

　　发行价8.66元/股，开盘报49.5元，涨幅471.59%，总市值3.31万亿元。首日收盘，该公司便超越工商银行，成为A股“市值一哥”。当日盘中受市场暴涨情绪推动，长鑫科技市值还一度冲上3.6万亿元。

　　其募资规模同样惊人。预计募资总额约579亿元，若超额配售选择权全额行使，则总额可达666.07亿元。这一数字，超越了2020年中芯国际创下的532.30亿元纪录，成为科创板史上最大IPO。

　　长鑫科技是做什么的？DRAM。就是手机、电脑、服务器里那个决定运行速度的“内存”。我们常说的“8G内存”“16G运行内存”，指的就是它。

　　这是一个什么样的市场？

　　据财闻海外资讯，2026年一季度全球DRAM市场中，三星以38%的份额居首，SK海力士29%，美光22%，三家合计拿走全球近九成DRAM营收。而长鑫以8%的份额位列第四。数字看似接近，但长鑫面前的三家，每一家都有超过三十年的积累。

　　过去三十年，无数挑战者试图挤进这张牌桌。德国奇梦达，曾经全球第二大DRAM厂商，2009年破产。日本尔必达，2012年被美光收购。福建晋华，与长鑫几乎同时起步，因美国技术封锁和专利诉讼，至今未能量产。

　　在存储芯片领域，DRAM可能是世界上最残酷的生意：百亿级起步的资本投入、3到5年一轮的剧烈周期、巨头用几十年布下的专利铁幕。三重绞杀之下，能活下来的IDM厂商全球不多。

　　如今在牌桌上的，只有两家韩国公司：三星、SK海力士；一家美国公司：美光；一家中国公司：长鑫。

　　能在全球存储市场撕开一道口子，长鑫做对了什么？

　　它的成功，似乎不单是靠“政策”和“资本”扶持那么简单。

　　DRAM的“死亡游戏”

　　芯片分两大类。一类叫逻辑芯片，负责计算，比如CPU、GPU、手机处理器等；另一类叫存储芯片，负责存数据，其中NAND Flash是在固态硬盘里用的，相当于“数据仓库”，DRAM则是手机电脑的运行内存，相当于“工作台”。

　　“仓库”可以慢一点，但“工作台”必须快。CPU要算数据，就要先把数据从“仓库”搬到“工作台”上，CPU才能干活。所以，DRAM对于大众日常生活十分重要。2025年全球DRAM市场规模达到1505亿美元，占整个存储芯片市场的65%。

　　这是一个千亿美元级的生意。

　　但中国在这个生意里，过往几乎没有话语权。中国是全球最大的DRAM消费市场，占全球消费量的42%，但国产自给率长期不足5%。2025年，中国进口DRAM芯片及颗粒金额约为520亿美元，货源高度依赖韩国、美国等境外主流存储巨头。520亿美元，意味着这个市场每卖出100块钱的DRAM，95块钱以上是外国公司的。

　　长鑫就是在这样的背景下起步的。

　　和逻辑芯片相比，DRAM赛道有一条铁律：价格波动的频率和幅度，超过猪肉。

　　听起来离谱，但事实如此。逻辑芯片的价格相对稳定，一代产品卖几年，价格缓慢下降。但DRAM不一样，半年涨700%，连夜翻三倍，都是历史上真实发生过的事情。

　　为什么波动这么大？因为DRAM高度标准化。

　　三星的8G内存条和美光的8G内存条，消费者用起来没有区别。产品没有差异化，价格就完全由供需决定。需求一上来，价格暴涨；供给一过剩，价格雪崩。这个“繁荣-崩溃”的循环，三到五年就来一轮。每一轮，都有人倒下。

　　而一个后来者想要挤进这个赛道，还要过三道非常难的关。

　　第一道关，是钱。

　　建一座12英寸的DRAM晶圆厂，动辄上百亿美元。技术每升级一代，旧产线还没回本，又得再砸几十上百亿买新设备。2026年，全球存储器晶圆厂的设备投资预计突破500亿美元，其中DRAM就占了370亿。这还只是一年的支出。

　　长鑫此次上市募资295亿元，其中就有75亿元用于产线升级，130亿元用于工艺升级。对一家刚盈利的公司来说，这些钱听着不少，但放在这个行业里，并不算多。

　　据悉，三星电子2025年的资本支出为52.15万亿韩元，约合人民币2310亿元；SK海力士2025年资本支出约30.2万亿韩元，约合人民币1600亿；美光2025财年资本支出约138亿美元，约合人民币1000亿元。每一家都几百亿美元打底。

　　第二道关，是周期。

　　存储芯片行业有强周期属性。上行周期里，产品供不应求、价格持续上涨；下行周期里，需求萎缩、库存堆积、价格暴跌。1996年全球有超过50座新晶圆厂宣布建设或投产。产能集中释放，需求却没有跟上，DRAM价格在一年内暴跌75%，整个行业陷入连续两年的亏损。

　　2008年金融危机，一颗1GB的DRAM芯片，年头卖2.29美元，到年尾只剩0.58美元。一年跌去四分之三。

　　谁倒在了这一轮？德国奇梦达。2009年1月，它宣布破产。这家公司曾是全球第二大DRAM厂商，从英飞凌分拆出来时年营收38亿欧元。

　　日本尔必达多撑了三年。2012年2月，社长坂本幸雄在发布会上说：“为相关各方带来了很大麻烦和不安，在此深表歉意。”同年，尔必达被美光以25亿美元收购。一个全球份额12%的公司，照样没撑过下一轮周期。

　　第三道关，是专利。

　　钱可以凑，周期可以熬。但有一道墙，绕不过去。

　　DRAM的基础原理是公开的，但实现这些原理的主流技术路径一直被巨头垄断着。美日韩企业在DRAM领域布局了几十年，已经构建了近10万项专利壁垒，覆盖了存储单元结构、制程微缩、接口标准等全链条，新入局者每一步都可能踩到专利地雷。

　　除此之外，还有一道技术封锁。荷兰ASML的EUV光刻机，是生产高端DRAM的必备设备，但对华出口被禁止。相当于你的对手拿着机枪，你连入场券都拿不到。

　　福建晋华的故事，就发生在这道墙下。2016年，晋华和长鑫几乎同时起步做DRAM。2017年，美光在美国起诉晋华窃取知识产权。2018年10月，美国商务部将晋华列入出口管制实体清单。正在进行的DRAM投产计划停摆，晋华至今没有量产。

　　这三道关，每一道都能淘汰一批玩家。钱不够的，出局；扛不住周期的，出局；踩到专利地雷或被技术封锁卡死的，出局。

　　三十多年了，倒在钱、周期和专利上的挑战者太多了。

　　那么长鑫是如何穿过这三道关的？这要从四个关键选择说起。

　　长鑫做对了什么？

　　第一个选择：走最重的路。

　　芯片行业有两种模式。一种叫Fabless，只做芯片设计，制造环节外包给台积电这类代工厂。这条路轻、快、风险低，绝大多数中国芯片公司走的是这条路。另一种叫IDM，设计、制造、封测全部自己干。三星、SK海力士、美光，全是IDM路线。

　　众所周知，DRAM的核心竞争力不在设计图纸上，在制造工艺上。同样的设计，不同的制造工艺做出来的芯片，性能和成本天差地别。只做设计，永远受制于人。所以长鑫选了最难的IDM，这也意味着要自己建晶圆厂、自己买设备、自己养工程师。

　　在IPO路演中，长鑫创始人朱一明就坦言，IDM模式需要持续且密集的资本投入。从2023年到2025年，长鑫的固定资产折旧分别为105.55亿元、148.75亿元和246.8亿元。事实上，朱一明是做NOR Flash起家的，那是一个比DRAM小得多的市场，积累的家底根本撑不住DRAM的烧钱速度。但长鑫能撑住，靠的是一笔足够耐心的钱。

　　这笔钱来自合肥。从2016年项目启动到2025年底，合肥国资体系累计在长鑫项目上投入约248亿元，持股约36.79%。十年间，长鑫累计亏损超过360亿元，合肥方面从未减持或退出。

　　对合肥来说，一家晶圆厂落地，会带动设备、材料、封测等上下游企业跟着来。京东方之后，合肥已经验证过这套逻辑，长鑫则是这套逻辑在半导体领域的复制。

　　所以尽管DRAM项目从建厂到量产再到盈利，通常需要八年以上的时间，但合肥愿意等，且必须等，它必须要让长鑫活下去，然后产能跑起来、产业生态长起来。

　　第二个选择：跳代研发。

　　通常来讲，DRAM芯片上电路线条的宽度，数字越小，芯片越先进。行业常规的做法是一代一代追：19纳米做完做17纳米，17纳米做完做15纳米。但问题是，当你做到17纳米的时候，巨头已经到14纳米了。永远有代差，永远在吃灰。

　　所以长鑫的策略是：跳代研发。2019年长鑫量产第一代工艺（19纳米/1Xnm）后，没有按部就班地做18纳米、17纳米，而是直接跳到第四代（约13-14纳米/1αnm）。产品端，它们也是没有在DDR4上长期停留，迅速将重心转向DDR5和LPDDR5X。

　　2019年，长鑫推出首颗自主设计的8Gb DDR4芯片，实现了中国大陆DRAM产业“从0到1”的突破。到2025年，它的DDR5芯片速率已达8000Mbps，LPDDR5X最高可达10667Mbps，与国际主流旗舰产品规格一致。

　　不过跳代的代价是什么？2022到2025年上半年，长鑫累计研发投入188.67亿元，占营收的33.11%。2025年上半年研发费用率23.71%，同期行业平均才10.37%，三星11.74%，海力士7.39%，美光10.66%。等于长鑫的研发强度是三星的两倍、海力士的三倍。

　　与此同时，美国禁止向中国出口生产高端芯片的EUV光刻机，那是生产高端芯片的必备设备。长鑫拿不到EUV，只能走另一条路：用旧型DUV设备配合多重曝光技术，在同一片晶圆上重复曝光多次，用步骤数换精细度。代价是良率压力和单片成本更高，但换来了能出货的产品。

　　在此基础上，长鑫还在合肥启动了键合DRAM研发线，目标是进一步绕开EUV封锁。干脆不在巨头已经封死的战场上硬碰，换一条路走。

　　第三个选择：低谷期加码。

　　2023年，全球存储行业进入下行周期。DRAM价格连跌12个月，DDR4 8GB产品价格同比跌了45%。三星的半导体业务利润暴跌超过90%，SK海力士和美光双双创下历史亏损纪录。三大巨头被迫减产、缩减资本开支，整个行业弥漫着收缩和观望的情绪。

　　按照行业的常规做法，这个时候应该减产、降本、囤现金，等周期回暖。大多数公司确实这么做了。但长鑫反而逆势扩产。根据公开资料，其2023年资本开支高达436.58亿元，部分产品报价仅为海外竞品的一半。

　　逆势扩产意味着短期亏损加剧。2022年到2024年，长鑫累计亏损超过300亿元。创始人朱一明期间还立过一条规矩：公司盈利之前，他不领一分钱工资，不拿一分钱奖金。他的判断是，半导体行业从来都是周期性的，只有能在低谷期活下来并且持续投入的人，才能在高峰期收获果实。

　　该说不说，长鑫运气很好。2025年下半年，AI算力爆发。三星、SK海力士、美光把越来越多的产能从普通DDR切到HBM（AI服务器配套的高带宽内存，利润远高于普通DRAM），主动让出了中端DRAM市场。但普通DRAM的供给被挤压了，需求还在增长，价格暴涨。长鑫刚好站在这个缺口上。

　　2025年，长鑫首次实现18.75亿元的年度盈利。2026年一季度，公司营收508亿，净利润247亿。到今年上半年，公司预计净利润达500到570亿。过去十年亏掉的钱，半年全部赚回来。

　　第四个选择：买下一家破产公司的“遗产”。

　　研发和技术路线的问题解决了，接下来就是专利，无数后来者在这里倒下。

　　2019年，长鑫与Polaris Innovations签署协议，获得德国奇梦达的DRAM专利许可。奇梦达曾经全球第二大DRAM厂商，2009年破产。它倒下之后，留下了一千多万份、约2.8TB的DRAM技术文档，以及7000余项核心专利。长鑫把它们全部买了下来。

　　这笔交易的价值怎么估计都不过分。奇梦达走的是沟槽式技术路线，与美光、三星的堆栈式路线不同，这大大降低了踩到巨头专利地雷的风险。

　　同时，长鑫还吸纳了前奇梦达西安研发中心的数百名工程师，甚至请来了在奇梦达任职24年的德国前副总裁担任核心技术顾问。最终，这片破产公司的“废墟”，成了长鑫最宝贵的资产。

　　凭借奇梦达的专利和技术文档，长鑫得以绕开巨头的专利雷区，拿到了全球牌桌的入场券。

　　四个选择，环环相扣。

　　走IDM重资产路线，有了自己的制造能力。

　　跳代研发，绕开了EUV封锁，用十年追到了国际主流水平。

　　逆周期投资，在低谷期完成了产能布局。

　　收购奇梦达专利，拿到了入场券，也拿到了护身符。

　　任何一个选错，长鑫都可能走不到今天。

　　从“1到10”的跨越

　　上市首日，市值3.31万亿元，A股第一，2026年上半年预计净利润500亿到570亿元。所有数字都在说同一件事：当下的长鑫科技站上了资本最高点。

　　但最高点往往也是岔路口。

　　过去十年，长鑫回答了一个问题：中国能不能造出DRAM？答案是能。2019年，它下线了中国第一颗自主设计的DDR4内存芯片。到2026年第一季度，长鑫全球DRAM市场份额达到8%，位列全球第四。所以中国存储从“0到1”的这一步，长鑫已经走完了。

　　接下来要回答的是另一个问题：中国存储能不能站得稳？

　　2008年京东方第一条6代线量产，让中国面板产业有了从0到1的跨越。到今天，京东方、TCL华星、惠科三家全球市占率已超过50%，屏幕出口额超越了韩国。中国人用二十年把面板做成了自己的产业。

　　但DRAM不一样，它的技术迭代速度比面板快得多，周期波动比面板猛得多。面板从4.5代线到10.5代线用了近二十年，DRAM从1X纳米到1α纳米只用了七年。每三到五年一轮的暴涨暴跌，在面板行业几乎不可想象。

　　所以长鑫面对的，其实是中国存储的“1到10”。这个阶段的难，和上一个十年完全不同。

　　第一道题：份额追上了，技术追上了吗？

　　8%对38%、29%、22%。这是长鑫和三星、SK海力士、美光的差距。相当于长鑫每卖1颗芯片，三星卖接近5颗。规模差距带来的成本劣势，是实实在在的。

　　更关键的是技术。SemiAnalysis分析师指出，长鑫在制程技术上落后顶尖企业约3年，在HBM上落后3到4年。HBM是什么？AI服务器最核心的内存方案，利润是普通DRAM的数倍。这个市场，目前仍被三星、SK海力士、美光三家垄断。

　　长鑫不是没有动作。2026年二季度该公司已启动设备招投标，全年计划扩产5万到6万片，设备采购规模达50亿到60亿美元。HBM3样品已交付头部客户验证，规划2027年实现12层HBM3E量产。不过对手也没闲着，目前SK海力士已量产HBM4，12层HBM4有2048个I/O端口，速率超10Gbps。

　　追产能可以用钱堆，追技术代差需要时间。而在半导体行业，时间本身就是最贵的成本。

　　第二道题：风口还在，但窗口期有多长？

　　值得一提的是，长鑫这一轮业绩爆发有一个关键前提：巨头们把产能让出来了。

　　2025年下半年开始，三星、SK海力士、美光把大部分产能转向HBM。HBM的晶圆消耗是传统DRAM的3到4倍，利润更高。巨头们算了一笔账：与其在通用DRAM上赚薄利，不如去HBM吃肥肉。这个选择，客观上给长鑫让出了一个巨大的市场缺口。2026年第一季度，DRAM合约价环比涨幅达90%到95%。

　　但窗口期不会永远开着。三星电子计划在韩国光州建设两座存储芯片制造工厂，SK海力士将在全罗道周边建设两座晶圆厂，两家合计投资规模达800万亿韩元。三巨头的新一波DRAM产能预计2027到2028年正式落地。

　　有分析判断，2027年下半年到2028年初，可能将是本轮存储周期的阶段性高点。到那时候，巨头们的新产能释放出来，供需关系逆转，价格回落。长鑫能不能扛住那一次回落，才是真正决定它未来走向的答案。

　　第三道题：579亿，往哪打？

　　上市募资579亿元，全额行使后666亿元，一举超过2020年中芯国际创下的532亿元纪录，成为科创板史上最大IPO。

　　这是整个A股市场对长鑫的赌注。

　　长鑫拿着筹码，怎么花钱？招股书给出的方向是三大块：12英寸DRAM晶圆产线升级改造、HBM与车规存储技术升级、下一代存储前瞻技术研发。

　　方向都对，关键是力度和节奏。是用来做大规模、继续吃周期红利？还是扎进HBM和下一代技术里、在三巨头的地盘上硬碰硬？

　　这两个选择，指向完全不同的终局。

　　前者能赚钱，但赚的是周期的钱，周期一走，利润跟着走。后者能建立长期竞争力，但需要时间、需要耐心、需要忍受短期看不到回报。

　　长鑫的副总裁、董事会秘书袁园在招股书中说得很坦诚：2025年下半年以来的业绩增长，确实受益于AI驱动的DRAM需求爆发及行业供需紧张，但DRAM行业具有强周期性，价格波动较大，AI发展对DRAM市场需求存在不确定性。

　　截至2025年12月31日，长鑫累计未弥补亏损达到366.5亿元。2026年上半年预计赚500亿到570亿，能抹平十年来的全部累计亏损。但这只是把过去的账还上了。

　　未来的账，才刚刚开始算。

　　放眼整个中国硬科技的追赶史，京东方用二十年完成了中国面板的“0到1”，而长鑫刚刚走完存储的“0到1”。但“1到10”的路，比“0到1”更难走。因为从“有没有”到“强不强”，拼的不再是勇气和决心，而是技术、规模、效率和穿越周期的能力。

　　总结

　　长鑫的故事，不是一个关于“逆袭”的爽文。它是在一个被巨头统治了三十多年的行业里，一家后来者如何通过一系列战略选择，活下来的真实案例。

　　对每一个在巨头垄断赛道里追赶的中国企业来说，长鑫的经历里有几条可以带走的经验。

　　第一，不要在巨头已经封死的战场上正面硬碰。

　　长鑫从一开始就知道，在EUV光刻机这条路线上跟巨头死磕，永远追不上。它换了一条路，用DUV多重曝光技术绕开封锁，用键合DRAM开辟新路线，用跳代研发跳过中间几代，直接到下一代去等对手。找到一个突破口，把资源集中在那里，才可能有胜算。

　　第二，找准巨头的战略盲区。

　　巨头们不是万能的。当它们把大部分产能和研发资源转向HBM的时候，常规DRAM市场就成了它们的盲区，长鑫正好站在了这个缺口上。所有被巨头垄断的行业，都存在类似的盲区，那些利润没那么高、但规模足够大的市场，巨头们看不上，或者暂时顾不上。后发者的机会，就在那里。

　　第三，保有穿越周期的资金耐力。

　　长鑫能扛过十年亏损，靠的是合肥国资这个“耐心资本”。合肥国资体系合计持股约36.79%，对应市值超过1.21万亿元。十年、248亿投入、366亿亏损，合肥国资从未撤资。市场化资本做不到这一点，它们有退出压力，有回报周期，有LP的追问。但企业家可以提前思考：你的资金结构里，有没有一笔能扛过一轮下行周期的钱？

　　第四，提前构筑知识产权护城河。

　　奇梦达的7000项专利和2.8TB技术文档，是长鑫能走到今天的护身符。没有这步棋，长鑫可能根本走不出专利诉讼的泥潭。专利不是装饰品，是生死线。必须在你还很弱小的时候就开始布局。

　　第五，低谷期的判断力，决定了风口期的爆发力。

　　2023年存储行业下行周期，大多数公司选择了收缩。长鑫选择了逆势扩产，年度资本开支436.58亿元。当时看是冒险，事后看是决定性的战役。没有低谷期的产能储备，就不会有风口期的业绩爆发。

　　所有依靠行业景气获得高光的企业，都要警惕周期反噬。从“抓住风口”到“穿越周期”，才是伟大企业的分水岭。长鑫刚刚走完自己的“0到1”，但摆在它面前的，是一道全新的考题。